在主板上用数字万用表如何测量场效应管的好与坏

在主板上用数字万用表如何测量场效应管的好与坏

（1）饱和漏电流（IDSS）：这是结型（JFET）或耗尽型场效应管（MOSFET）的一项重要参数，是指场效应管栅源电压（VGS）为零时的漏极电流（ID）。可用电流表或晶体管图示仪测得。（2）夹断电压（VP或UGS(off)）：结型或耗尽型场效应管的重要参数，是指当结型场效应管栅—源之间加足够高的负偏压时，导电沟道完全闭合，漏极电流近似为零时的栅源电压（VGS），可用万用表或晶体管图示仪测得。实测时，为便于测量，规定VP对应的最小漏极电流值。（3）开启电压（Von或UGS(th)）：这是增强型MOS场效应管的一项重要参数，是指漏源电压（VDS）为固定数值条件下，能建立导电沟道，产生漏极电流（ID）所需的最小 值。（4）低频跨导（gm）：这是反映场效应管放大能力的一项参数，可用万用表或晶体管图示仪测得。定义：在VDS为固定值的条件下， （S或mA∕V）其它参数的定义和测试方法与晶体三极管差不多。