为什么三极管可以放大电流，原理为什么?

为什么三极管可以放大电流，原理为什么?

这个问题三言两语难以说清，看看元增民《模拟电子技术》第20页和21页，也许有助于解决您的疑问：
“以NPN型BJT为例，有如下四个因素影响各电流的形成。
(1) 基区尺寸很小
尺寸很小的基区好像狭窄的道路或山梁拥挤不堪。
(2) 基区空穴浓度很低
基区空穴浓度很低使得从发射区到达基区的电子中，只有少量电子有机会与基区的空穴复合而形成基极电流，相当于很“荒凉”，兔子不拉屎，电子难安家。
(3) 发射区自由电子浓度很高
(4) 集电区尺寸较大并接有正电源
集电区尺寸较大并接有正电源。集电极正电源Ucc对NPN型BJT中由发射区流到基区的大量电子是一个很强的吸引力。就是说，由于基区尺寸很小且空穴浓度很低，而发射区自由电子浓度很高，所以从NPN型BJT发射区流向基区的大量电子中，只有少数得以与基区的空穴复合(安家)而形成较小的基极电流Ib，多数电子横向越过狭窄的基区奔向广阔的集电区并到达集电极，被集电极正电源所俘获而形成较大的集电极电流Ic。
基极电源本来是要形成基极电流ib，实际上却为集电极电流ic的形成帮了大忙。
形象地说，NPN型BJT的基极和集电极加有正电源时，尺寸很小且掺杂很少的基区好像狭窄荒芜的山梁，容不得电子“安家”，而与正电源连接的集电区好像陡峭广阔的山坡，从发射极出发的大量电子到达基区时拥挤在一道狭窄荒芜的山梁上，结果只有少数电子到达基极，多数电子顺势滚落在集电区这个山坡下，形成较大的集电极电流。
基区尺寸很小、基区载流子浓度很低、发射区载流子浓度很高及集电区尺寸较大这样四个内在因素，加上集电极正电源的吸引力这样一个外部条件，最终使BJT集电极电流是基极电流的很多倍，这就是人们通常所说的BJT电流放大能力。”

指明作者及书名，主要考虑尊重版权法。

由于晶体管三个区的尺寸及掺杂浓度都是确定的，所以集电极电流与基极电流的比例也就固定了，这个比例就是电流放大倍数β。