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PN结光生伏特效应的基本原理。最好解释的详细点。

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解决时间 2021-02-19 11:12
PN结光生伏特效应的基本原理。最好解释的详细点。
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用光照射硅等半导体的PN结由于光电效应而生成从N到P流过的电流,光子能够在P型硅和N型硅中将电子从共价键中激发,以致产生电子-空穴对。界面层附近的电子和空穴在复合之前,将通过空间电荷的电场作用被相互分离。电子向带正电的N区和空穴向带负电的P区运动。通过界面层的电荷分离,将在P区和N区之间产生电压!
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如果光线照射在pn结上并且光在界面层被吸收,具有足够能量的光子能够在p型硅和n型硅中将电子从共价键中激发,以致产生电子-空穴对。界面层附近的电子和空穴在复合之前,将通过空间电荷的电场作用被相互分离。电子向带正电的n区和空穴向带负电
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