什么叫做阱偏效应，如何解释

什么叫做阱偏效应，如何解释

在做阱时，阱掺杂离子在阱的边缘区域发生衍射（离子和光刻的二氧化硅边缘发生衍射），会有少量离子注入边缘的阱中，导致边缘的管子和里面的管子背栅掺杂不等，引起失配，这就叫做阱偏效应；
而对于MOS-IC而言，在工作时，其中各个MOSFET的衬底电位是时刻变化着的，若对器件衬底的电位不加以控制的话，那么就有可能会出现场感应结以及源-衬底结出现正偏的现象；一旦发生这种现象时，器件和电路的沟道导电作用即告失效。所以，对于IC中的MOSFET，需要在衬底与源区之间加上一个适当高的反向电压，以使得场感应结始终保持为反偏状态，该所加的电压就称为衬偏电压，这样一来即可保证沟道始终能够正常导电。简言之，衬偏电压就是为了防止MOSFET的场感应结以及源结和漏结发生正偏、而加在源-衬底之间的反向电压。

而对于mos-ic而言，在工作时，其中各个mosfet的衬底电位是时刻变化着的，若对器件衬底的电位不加以控制的话，那么就有可能会出现场感应结以及源-衬底结出现正偏的现象；一旦发生这种现象时，器件和电路的沟道导电作用即告失效。所以，对于ic中的mosfet，需要在衬底与源区之间加上一个适当高的反向电压，以使得场感应结始终保持为反偏状态，该所加的电压就称为衬偏电压，这样一来即可保证沟道始终能够正常导电。简言之，衬偏电压就是为了防止mosfet的场感应结以及源结和漏结发生正偏、而加在源-衬底之间的反向电压。