电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详细点
答案:1 悬赏:20
解决时间 2021-10-18 14:55
- 提问者网友：我一贱你就笑
- 2021-10-18 06:41
电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详细点
最佳答案
- 二级知识专家网友：不想翻身的咸鱼
- 2021-10-18 07:26
GTO(门级可关断晶闸管):全控型器件 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低
GTR(电力晶体管)耐高压，电流大开关特性好
mosfet(电力场效应晶体管)驱动电路简单，需要驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性高于GTR但是电流容量小
IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点，具有电导调制效应，其通流能力很强，但是开关速度较慢，所需驱动功率大，驱动电路复杂。
望采纳~~
GTR(电力晶体管)耐高压，电流大开关特性好
mosfet(电力场效应晶体管)驱动电路简单，需要驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性高于GTR但是电流容量小
IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点，具有电导调制效应，其通流能力很强，但是开关速度较慢，所需驱动功率大，驱动电路复杂。
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