半导体里面的IGBT的门极电阻到底是什么东西？指哪里的电阻？说的具体点详细点。。

最好给个定义啊什么的。。。

igbt门极峰值电流一般通过公式△v/(gint+gext)计算的。
一般驱动电路设计会对门极电阻进行分开设置，如设置开通门极电阻和关断门极电阻
如果要求igbt门极充电电流峰值低于门极放电电流峰值一般是从igbt的开关损耗考虑的；igbt的关断的时候拖尾电流比较长，会引起比较大的关断损耗，增大igbt的门极放电电流峰值会加快igbt的关断，减少关断损耗，但这有一个不好的地方就是过快的关断速度会引起关断瞬间igbt的c、e两端尖峰过大而引起的过压击穿。
所以并不是所有的igbt驱动电路都是要求igbt门极充电电流峰值低于门极放电电流峰值，具体要看你的拓扑、igbt型号选择、散热器散热效果，使用环境如高压或者低压。有些公司设计的驱动电路是igbt门极充电电流峰值高于门极放电电流峰值主要是折中考虑，因为在高压使用环境中，过快的关断时间引起的过压尖峰是很大的，通过减少igbt的门极放电电流，增加放电时间，可以减少igbt的关断应力，但增加igbt关断损耗，可以通过改善散热器的功能实现。
至于门极电阻怎样计算，一般是参考igbt说明书给定的参考值，选择参考值附近的电阻，然后通过△v/(gint+gext)计算是否在合理范围内，如过大，但驱动板的驱动电源功率不够，会引起门极驱动信号振荡；充电过快会引起igbt承受短路过流能力下降；放电过快会引起关断电压尖峰；综合考虑选择合适的电阻

门极相当于一个电阻串一个电容。 门极的速度就是这个电阻电容的时间常数。如果太大，频率就高不起来。

门极电阻 因为一些寄生电感，寄生电容的作用，门极回路会产生振荡，另外IGBT的关断速度会影响Vce的电压应力，开通速度会影响续流二极管的电压应力以及IGBT自身的电流应力，这些问题都可以通过调节门极电阻来解决。