如图，在光滑水平面上，有一竖直向下的匀强磁场，分布在宽度为L的区域内，现有一边长为l（l＜L）的正方形

如图，在光滑水平面上，有一竖直向下的匀强磁场，分布在宽度为L的区域内，现有一边长为l（l＜L）的正方形闭合导线框以垂直磁场边界的初速度v1滑进磁场，然后线圈滑出磁场的速度为v2，设线框滑进磁场的时间为t1，安接力的冲量为I1，线框产生的热量为Q1，线框滑出磁场的时间为t2，安培力的冲量为I2，线框产生的热量为Q2，则有（　　）A．v1=v2B．t1＜t2C．I1=I2D．Q1＞Q2

A、磁场进入或穿出磁场的过程产生感应电流，受到向左的安培力，线框会减速，故v1＞v2，故A错误；
B、线框到达右边界的初速度等于从左边界完全进入后的末速度，故穿出右边界时的速度小于穿过左边界的速度，t=
l
v ，则t1＜t2，故B正确；
C、对线框进入或穿出磁场过程，设初速度为v，末速度为v′．由动量定理可知：B
.

I L△t=mv′-mv，又电量q=I△t，得：m（v′-v）=BLq，
得：速度变化量△v=v′-v=
BLq
m
由q=
n△Φ
R 可知，进入和穿出磁场过程，磁通量的变化量相等，则进入和穿出磁场的两个过程通过导线框横截面积的电量相等，故安培力的冲量I1=I2，故C正确；
D、进入过程导线框的速度变化量等于离开过程导线框的速度变化量．
设开始进入磁场时速度为v1，完全进入磁场中时，线圈的速度大小为v′，完全穿出磁场后速度为v2，则有：
v1-v′=v′-v2，
根据能量守恒：Q1=
1
2 mv12?
1
2 mv′2=
1
2 m（v1+v′）（v1-v′）
Q2=
1
2 v′2-
1
2 mv22=
1
2 m（v′+v2）（v′-v2）
由前面分析知：v1+v′＞v′+v2故Q1＞Q2，故D正确；
故选：BCD．

线圈在进磁场或出磁场某一位置的加速度a= bia m = b2a2v mr ，则在很短时间内速度的变化量△v=a△t= b2a2 mr v△t= b2a2 mr △x，     △v= b2a2 mr     △x，解得△v= b2a3 mr ，知进磁场和出磁场速度的变化量大小相等．设进磁场的速度为v，则完全进磁场的速度为 v 2 ，完全出磁场的速度为0．根据能量守恒定律得，q1= 1 2 mv2- 1 2 m( v 2 )2= 3 8 mv2，q2= 1 2 m( v 2 )2= 1 8 mv2，所以 q1 q2 = 3 1 ．故c正确，a、b、d错误． 故选c．