三极管电流放大原理是什么

三极管电流放大原理是什么

说到三极管工作原理，首先让我们来了解一下三极管的结构。三极管是由两个反向连结的PN结面构成的，连接的三个端点分别为发射极、基极和集电极。而关于三极管工作原理，由于我们并非专业人士，所以只能简单地说明一下。就是发射极向基极发射电子，在基极产生电流，再扩散至集电极从而产生集电极电流。
半导体三极管的作用其实就是电流放大作用，集电极的大电流变化量实际上是靠基极的小电流变化量来完成控制的。这就是半导体三极管的作用。而一般三极管的作用就是将电流放大，从而完成之前不能够完成的信心传输，使其推动了当前信息发展，加快其传递速度。这个三极管电流的放大倍数可以认为控制，能够根据其中的电磁变化和电流传递从而改善信息传递速度。

一般的三极管放大（共射放大电路，输出信号从集电极引出），输出信号与输入信号在相位上刚好相差180度。    这个问题其实就是三极管的工作原理，属于微电子学的知识（PS:现在的高中居然要学这些，实在搞不懂）。三极管放大时，不可能两个PN结都反偏，而是BE结正偏，BC反偏。你说的两个反偏进行放大是完全错误的，这个状态叫截止。三极管还有一个状态就是两个PN结都正偏，称为饱和。有些三极管只工作在截止和饱和状态（在两种状态间不断变换），称为开关状态。 大概情况如下： 1、发射区向基区扩散电子：由于发射结处于正向偏置，发射区的多数载流子（自由电子）不断扩散到基区，并不断从电源补充进电子，形成发射极电流IE。    2、电子在基区扩散和复合：由于基区很薄，其多数载流子（空穴）浓度很低，所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合，形成比较小的基极电流IB，而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘。    3、集电区收集从发射区扩散过来的电子：由于集电结反向偏置，内部形成了较大的内电场，在电场力作用下可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区，从而形成较大的集电极电流IC。

三极管基级与直流电源相连，由直流电源提供功率放大所需的能量。    基级电流很小，但是由它引起的集电极电流变化却很大（主要针对npn管，pnp管放大能力相对弱），至于为什么能使集电极电流变化很大，最好看一下晶体管原理对晶体管内部电流的分析。有图是最好的，否则光靠文字说，不太好理解。    再补充一点，从载流子角度来说，基级电流相当于提供发射极电流在基区复合掉的那部分，而发射极电流在流经基区时，有很少一部分与基区载流子复合（从晶体管结构来说，基区掺杂很低，也就是载流子浓度低，所以复合少），那么也就是说发射极电路损失少，那么基级电流补充的也就少，即基级电流很小。    发射极电流既然大部分都免于复合，那么就到达了集电极，成为集电极电流，这部分相对于复合的部分来说是很大的。这样从外部看，三极管就有了放大作用~

其实不是三极管本身具有放大（功率放大）功能，而是三极管基级与直流电源相连，由直流电源提供功率放大所需的能量。    基级电流很小，但是由它引起的集电极电流变化却很大（主要针对npn管，pnp管放大能力相对弱），至于为什么能使集电极电流变化很大，最好看一下晶体管原理对晶体管内部电流的分析。有图是最好的，否则光靠文字说，不太好理解。    再补充一点，从载流子角度来说，基级电流相当于提供发射极电流在基区复合掉的那部分，而发射极电流在流经基区时，有很少一部分与基区载流子复合（从晶体管结构来说，基区掺杂很低，也就是载流子浓度低，所以复合少），那么也就是说发射极电路损失少，那么基级电流补充的也就少，即基级电流很小。    发射极电流既然大部分都免于复合，那么就到达了集电极，成为集电极电流，这部分相对于复合的部分来说是很大的。这样从外部看，三极管就有了放大作用~