请问关于内存vref（基准电压）的问题

DDR3将VREFyif一分为二，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，是否存在一个片内vref和一个片外vref，而且是可选的？我手头上没有相关的资料，于是我做了几个对比的实验

首先说明我用的是笔记本做的实验：
试验一：使得VREF_DQ失去上拉为0V，memtest能跑过；
试验二：使得VREF_DQ失去下拉分压1.504V，memtest能跑过；
试验三：使得VREF_CA失去上拉为0V，memtest能跑过；
试验四：使得VREF_CA失去下拉分压1.504V，memtest能跑过；
试验五：去掉内存端的电阻，并将VREF_DQ和VREF_CA两信号pin悬空，memtest能跑过且能正常进系统和关机；
试验六：去掉内存端的电阻，并将VREF_DQ和VREF_CA两信号通过1K电阻上拉，使其为1.5V，memtest能跑过且能正常进系统和关机；
试验七：去掉内存端的电阻，并将VREF_DQ和VREF_CA两信号通过1K电阻接地，使其为0V，memtest能跑过且能正常进系统和关机；

既然我把内存片外的vref电路破坏却未出错，那应该存在一个片内的vref，我手上的datasheet没有明确的给出答案，哪位朋友能向我提供相关的资料？

围观 等待高手出现

最好就是2.56v了，再高时没有意义。