请问扩散硅传感器和陶瓷压阻压力传感器有什么不同？

请问扩散硅传感器和陶瓷压阻压力传感器有什么不同？

扩散硅传感器:基本原理是利用半导体的压阻效应和微机械加工技术，在单晶硅片的特定晶向上，用光刻、扩散等半导体工艺制做一惠斯登电桥，形成敏感膜片，当受到外力作用时产生微应变，电阻率发生变化，使桥臂电阻发生变化(一对变大一对变小)在激励电压信号输出，经过计算机温度补偿、激光调阻、信号放大等处理手段和严格的装配检测、标定等工艺，生产出具有标准输出信号的压力变送器.陶瓷传感器:测量原理陶瓷传感器是干式传感器，过程压力直接作用在坚固的陶瓷膜片上，基板电极和膜片电极可以检测出与压力相关的电容变化，测量范围取决于陶瓷膜片的厚度。膜片破碎的自诊断功能。保证抗过压能力可达正常压力的40倍   。高纯度99.9%陶瓷，具有与哈氏合金相同的抗化学腐蚀能力。适用于真空场合。第二腔室用于提高机械强度，阻止因传感器损坏导致介质泄漏

扩散硅压力传感器是外加压力通过不锈钢膜片、内部密封的硅油传递到敏感芯片上   ，敏感芯片不直接接触被测介质。以其灵敏度输出高，动态响应好，测量精度高，稳定性好，易于小型化,但易受温度影响,对于大于1kpa的均可测量是中档传感器的首选。陶瓷是一种公认的高弹性、抗腐蚀、抗磨损、抗冲击和振动的材料。陶瓷的热稳定特性及它的厚膜电阻可以使它的工作温度范围高达-40   ～135   ℃，而且具有测量的高精度、高稳定性。电气绝缘程度>2kV，输出信号强，长期稳定性好。具有优良的   线性精度、迟滞性和可靠性、性价比.原则上较高的量程也易于实现。这两种传感器都广泛地应用于航天、航空、航海、石油化工、动力机械、生物医学   工程、气象、地质、地震测量等各个领域。

您好，硅压力传感器利用硅受压后电阻值变化来测量压力；陶瓷电容压力传感器利用受压后电容量变化来测压。 硅压力传感器的灵敏度高，成本低，受温度影响大。 陶瓷电容传感器重复性优秀，过载能力强，受温度影响小，感压截面积大，成本略高。 两者各有特点，没有哪一个有绝对优势。一般的应用建议选用硅压阻的，品种多，价格低。 希望我的回答能帮助到您！