存储器类型有哪些分类特点？

存储器类型有哪些分类特点？

只读存储器   ROM
　　随机存储器   RAM
　　ROM是断电可保存的，RAM断电后存储的内容即消失
　　ROM容量一般都可以做的很大，RAM的容量一般都不会很大
　　ROM一般都是外存储器，比如硬盘、驱动、软驱、U盘等
　　RAM一般是内存储器，比如内存条
　　先从外存储器读取数据到内存储器，然后CPU再把内存储器中的数据读取到CPU缓存中进行运算
　　ROM是锅，RAM是碗，饭在锅里，但吃饭得用碗

储存器具有记忆功能，用来保存信息，如数据，指令和运算结果等等。   它可以分为外储存器和内储存器两种。闪存移动存储器具有便于携带、使用简单、速度快、容量大等特点，由于均为USB接口，所以俗称U盘。

ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。   RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。   DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。   ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。   举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通过记录（通话记录保存在EEPROM中），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。   FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦出可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。   目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一快的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。   一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的“闪盘”，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。  DRAM，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式。 SRAM，静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。  SDRAM，同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大。  但是读写速度不如SRAM，但是现在，SDRAM的速度也已经很快了，时钟好像已经有150兆的了。那么就是读写周期小于10ns了。    所谓的PSRAM（Pseudo SRAM；PSRAM），在技术本质上即是用DRAM来乔装SRAM，所以才叫Pseudo（伪），那为何要用乔装呢？此其实与近年来手持式应用设计的兴起息息相关。  过去在一般性的嵌入式设计上，其内存部分多是使用SRAM，之后由于计算机等电子数据设备的成长，使设备内部所用的内存容量大幅增加，这时就难以使用SRAM来实现大容量的内存系统，而必须使用DRAM，DRAM每个位的记忆电路是以1个晶体管与1个电容所构成，相对于SRAM每个位需要4∼6个晶体管才能构成，DRAM拥有比SRAM高4∼6倍的记忆密度。  虽然DRAM在记忆密度、电路成本等方面优于SRAM，但DRAM也有不如SRAM的地方，SRAM是以持续供电的方式来记忆数据，所以运作上相当耗电，相对的DRAM实行刷新（Refresh）方式来持留住记忆内容，如此虽比较省电，但记忆数据的存取速度就不如SRAM。  此外，DRAM因为刷新电路、存取电路等设计，使的系统接口的线路较SRAM复杂，SRAM没有刷新电路且接口设计单纯、直觉，如此对电子工程师而言，除非真有SRAM无法满足的高容量、低用电等设计要求，否则都尽可能实行SRAM，因为SRAM的电路设计比DRAM简洁、容易。  正因为SRAM与DRAM有诸多特性是完全相左，以致多年来的应用范畴也各不相同，SRAM多用在少数容量的高速存取应用上，例如高速处理器的高速缓存、高速网络设备（如：路由器、交换机）的内存等。而DRAM就用在大量记忆需求的应用上，如激光打印机、高清晰数字电视等。  不过，在手持式应用的设计上，就同时需要DRAM与SRAM的特性，既需要SRAM的电路简洁特性（因为印刷电路板面积小，线路数能减少就少），又需要DRAM的低用电（因使用电池运作）。此外芯片用数也多在1、2个芯片左右，所以也不易同时使用DRAM芯片与SRAM芯片，只能择一而用。  既然只能择一而用，真正权衡取舍的结果是使用DRAM，但必须将DRAM的存取接口加以简化，作法是将刷新电路改成自行刷新（Self-Refresh），然后接口简化成兼容、近似原有SRAM的接口，如此就成了PSRAM，有时也称PSDRAM。  NAND型闪存又分为SLC和MLC两种类型。其区别在于每个储存单元储存信息的多寡。不同的结构决定了SLC的读写性能、寿命、可靠性较高，而MLC则在容量和成本方面占优势。