压敏电阻制作流程能介绍下吗

压敏电阻制作流程能介绍下吗

某工厂标准工艺流程图，仅供参考！

片式压敏电阻器（VARISTOR）是压敏电阻器的一种.它是用氧化锌非线性电阻元件作为核心而制成的电冲击保护器件。氧化锌非线性电阻元件是以氧化锌（ zn0 ）为主体材料，添加多种其他微量元素，用陶瓷工艺制成的化合物半导体元件。它的基本特性是电流一电压关系的非线性。当加在它两端的电压低于某个阀电压，即“压敏电压”时，它的电阻值极大，为兆欧级；而当加在它两端的电压超过压敏电压后，电阻值随电压的增高急速下降，可小到欧姆级、毫欧姆级。压敏电阻器与普通电阻器不同，普通电阻器遵守欧姆定律，而片式压敏电阻器的电压与电流则呈特殊的非线性关系。当片式压敏电阻器两端所加电压低于标称额定电压值时，其电阻值接近无穷大，内部几乎无电流流过。当片式压敏电阻器两端电压略高于标称额定电压时，它将被迅速击穿导通，并由高阻状态变为低阻状态，工作电流也急剧增大。当其两端电压低于标称额定电压时，片式压敏电阻器又能恢复为高阻状态。当压敏电阻器两端电压超过其最大限制电压时，压敏电阻器将完全击穿损坏，无法再自行恢复。一般而言,片式压敏电阻器的制作工艺流程如下:叠层,切割,排胶,烧结,倒角,涂敷,端电极,电镀.
在讨论ZOV的制作之前，首先应该学习一下ZOV的导电机理，因为导电机理和微观形成机理是进行讨论和研究的基础。对此，作者推荐两篇论文，一篇是谭宜成博士的《ZnO压敏瓷主晶界高非线性形成机理》(1987年博士论文)。该文详细叙述了ZnO压敏瓷的研制过程，用热离子发射、热助场发射、场发射理论，解释了正反偏肖特基势垒的电压-电流特性，用FromRel-Poolt发射、遂道效应、热激发跃迁、空间电荷限制电流理论，解释了薄绝缘层中的电压-电流特性，提出了他的主晶界次晶模型。他对主晶界、次晶界的形成理论、形成过程及其对电性能的影响作了很详细的研究，尤其是对致密化过程的研究很有实用价值。另一篇是《Zine Oxide Varistor》(IEEE.Electrieal Insulatcon Magazine D.C VOL1.91.P50)，该文叙述了从1968年Matsouka发明ZnO压敏电阻以来至1987年Suzuoki提出空间电荷引起的电流理论，这20年间压敏陶瓷导电机理的发展。详细叙述了8个模型：①在富铋晶界层内建立的"空间电荷限制电流"模型；②莱文逊（Levinson）、菲利普（Philip）提出的"晶界面处通过薄层的遂道效应"模型；③Emtage和Einzinger提出的有ZnO相和富Bi晶间相异质结的"界面态肖特基势垒遂道效应"模型；④Maham提出的"通过具有空穴形成的肖特基势垒遂道效应"模型，此模型提出了晶界处少数载流子（空穴）的重要性；⑤Einzinger提出的"通过ZnO同质结构的遂道效应"模型，此模型指出了冷却时在晶界形成缺陷的热平衡的重要性；⑥Pike提出的"空穴引起的穿透"模型，此模型指出了"由于空穴积聚使晶界处势垒降低造成了压敏陶瓷的高非线性，空穴是由于耗尽区的加速电子产生的，势垒的大小取决于体陷井和界面态"⑦莱文逊（Levinson）、菲利普（Philip）提出的"有异质结的旁路效应"模型，此模型阐明了富铋晶界层在小电流区的重要作用，并假设了通过异质结和富铋晶界层的平行电流通路，此模型提出于1986年，至今仍在行业中沿用；⑧Suzuoki提出的由ZnO相和富Bi2O3薄膜组成的"异质结外引起的空间电荷电流"模型。