超辐射二极管是什么？

超辐射二极管是什么？

超辐射发光二极管，是由衬底、下包层、下分别限制层、有源区、上分别限制层、上包层、光限制层和欧姆接触层依次构成材料生长部分，在欧姆接触层上通过介质绝缘层形成有P型电极层，在衬底的下面形成有N型电极层，所述的位于下分别限制层和上分别限制层之间的有源区采用体材料结构，且有源区的发光波长范围是0．85μm到1．7μm。本发明结合材料有源区设计和波导结构完成低偏振度设计，具有工艺简单、可靠性高的特点。可应用于0．85μm到1．7μm波段；本发明用脊形波导结构减小串连电阻，提高注入效率，从而提高器件特性；本发明采用倾斜波导，弯曲波导结构后，高增透膜要求可以降低1到2个数量级，有利于实现低纹波系数指标的超辐射发光二极管。

超辐射发光二极管（SLD）近年来迅速发展，它是介于激光器（LD）和发光二极管（LED）之间的一种半导体光电器件。其发光机理是一种强激发状态下定向的辐射现象。即当激发密度足够高时，自发发射的光子受激放大而雪崩式倍增，发光强度随激发强度超线型地急剧增加，谱线宽度变窄，由初始的自发发射占主导地位很快的演变为以受激发射占主导地位。   理想的超辐射光是一种相位不一致的非相干光源或称短相干光源。

一般发光二极出的光是完全不相干的，相干长度很短。激光二极管的发出的光是相干的，相干长度很大。而超辐射是有多个原子一起发射的相干自发辐射，其相干长度比一般的自发辐射长，但是比激光差很多