空穴型半导体如何产生霍尔效应？

霍尔效应是载流子受洛仑兹力产生的。但空穴如果是硅原子的话，即使受到洛仑兹力也不会运动，那么空穴如何运动。电子运动方向应该和空穴相同，到底是谁运动？

在电流中，正负电荷受洛仑兹力方向相同。
但在霍尔效应中，N型半导体和P型半导体产生的霍尔电压方向相反。若果都是电子受洛仑兹力，为什么霍尔电压方向相反。

你自己也说了正负电荷受洛仑兹力方向相同，但产生的电势高低就相反了。所以，半导体中自由移动的电荷类型不同霍尔电势差方向就相反了。N型半导体的载流子是电子，P型半导体的载流子是空穴（等效于是正电荷定向移动），所以就会方向相反了。补充说明一下，空穴指半导体价带中的电子由于被热或光激发到导带中，或被受主型杂质俘获，在价带中留下一个空能级(即失去电子的价键)，称为空穴。当它被邻近原子的价电子占据时，将在邻近产生新的空穴，其效果相当于空穴的移动。人们常把空穴视为在价带中能自由运动、带正电的实体，既简便又确切。你想啊，电子移走后，剩下的实体就是带正电荷的了，所以，必须把它看作是带正电荷的实体定向移动。

根据加磁场后形成的电场方向判断半导体的类型。由于空穴和电子带电性不同，给一块未知类型的半导体施加恒定的电流，半导体内的空穴运动方向与电流方向相同，电子运动方向与电流方向相反。再给这块半导体施加一个垂直于电流方向的磁场，这是电子和空穴会向电流方向的两侧发生偏转，直到形成的电场力与磁场对载流子的洛伦兹力大小相同方向相反时，电子和空穴不会继续向两侧偏转。而此时，通过电流方向两侧形成的电场方向就可以判断半导体的类型。由于两种载流子运动方向相反，所以二者所受的洛伦兹力大小相同方向相同。然而，n型半导体的电子浓度要高于p型半导体，所以载流子偏转一侧是电子聚集，而p型半导体则正好相反。

看了你的叙述，发现你搞错了空穴的意义，这空穴不是指化学中晶体里原子的空缺，而是指没有电子的电子轨道。比如原子A的一个电子跳到原子B的空轨道上去了，那么原子A便出现了一个空轨道，而原子B的空轨道消失了，所以我们可以说电子从A到B，也可以说空穴从B到A，这两种说法是等效的。现在楼主明白了吧，电子运动方向和空穴是正好相反的，其实本质上受洛伦兹力作用的还是电子，只不过我们可以把空穴想像成是正电荷罢了。