贴片排阻为什么要分yc/tc的封装？

贴片排阻为什么要分yc/tc的封装？

看颗粒就行了
5NS就是400的 6NS就是333 7.5的就是266 现代的则不同了
举个例子：
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14 整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。颗粒编号解释如下：
1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）
3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）
6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））
12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）
13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））
记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，这款内存实际的最高工作状态是多少。
另外我补充几点：
不知楼主的配置如何，各种主板配置内存不一样。
　　1、如果是Socket754平台，最好不要使用3条DDR400内存，不然会降到DDR333，这是受限于Socket754处理器内存控制器的设计。
　　2、如果是Socket939平台，最好不要用四条，如果用了，AMD平台中“1T　Command”不能打开，从而大大降低性能。
　　3、如果是i915P/Pl和i865PE平台，除了品牌、频率、颗粒封装要相同外，建议全部选用单面或全用双面，不要单双混用，这其实适合所有主板。
　　4、有些主板上的内存插槽有两种颜色，同一种色组成一个双通道，装内存时要注意
学会区分DDR和SDRAM。DDR内存使用的184PIN，而普通SDRAM使用的168PIN，如果从外观上看，那DDR和SDRAM几乎没有区别，但如果仔细观察，就会发现SDRAM左右两侧各只有一个缺口，而DDR则有两个缺口，这也是最简单明了的区分方法，另外还有几种方法，比如说DDR的插槽缺口只有一个，而SDRAM有两个，再就是DDR的显存颗粒比SDRAM的要薄，这些都是用肉眼就能观察到的，俺估计现在市场还不会有人愚蠢到把SDRAM当DDR卖，呵呵
SD的内存有两个缺口，DDR就有一个 DDRII的也只有一个，不过DDRII的缺口位置更接近中间。
型号就只有看看内存上的标贴了。一般只要有标贴，上面都会标有频率的，如果没有标贴的散条就只有靠软件来查看了，像超级兔子，优化大师，CPU-z这类的软件都可以看的。
内存的指针，是指金手指吧，一般SD的金手指是168个，DDR的是184个，而DDRII的是240个，多少个就是插进插槽的那个部位黄色的东西，两边都算的。你可以数数看。
内存分为 DDR SDRAM 和SDRAM
视觉上区分是看有几个豁口O
两个豁口的是SDRAM 一个豁口的则是DDR
两者区分其实就是 频率的不同
SD有PC100 PC133 PC150
DDR有 DDR266 DDR333 DDR400
现在有了DDR2内存
频率分别为 DDR533 DDR667 DDR800
DDR2 667的 ：内存右下脚 就你自己看，如果是120的就是DDR2 667。从正面看哦！