简述设计制备NMOSFET的工艺,并画出流程图。
答案:1 悬赏:60
解决时间 2021-01-19 04:24
- 提问者网友:最爱你的唇
- 2021-01-18 09:36
简述设计制备NMOSFET的工艺,并画出流程图。
最佳答案
- 二级知识专家网友:持酒劝斜阳
- 2021-01-18 09:48
1. 衬底p-Si
ρ=30~50Ω?cm
2. 初始氧化
SiO2 层厚度250 A
氧化后淀积Si3N4
Si3N4厚度1400 A
3. 光刻Ⅰ
场区光刻,刻掉场区的Si3N4
不去胶,阻挡离子注入
4. 场区注硼
250 A的SiO2防止隧道效应
注硼是为了提高场区的表面浓度,以提高场开启
5. 场区氧化,8500 A
氧化层是热生长形成的,此时硼将继续推进,Si3N4阻挡氧化。
由于Si:SiO2=0.44:1(体积比)
这种做法可以降低台阶高度,称为准等平面工艺
6. 去掉有源区的Si3N4和SiO2
Si3N4:用磷酸腐蚀 SiO2:用标准的光刻腐蚀液
7. 预栅氧
SiO2 层厚度250 A
为离子注入作准备
8. 调整阈电压注入(注硼)
目的:改变有源区表面的掺杂浓度,获得要求的阈电压
9. 去掉预栅氧
10. 栅氧化
SiO2 层厚度250 A
这一步需要单独做,必须生长高质量的氧化层
11. 淀积多晶硅,
Poly-Si,3800 A
扩磷,使多晶硅成为n+型(n+-Poly-Si)
12. 光刻Ⅱ
刻多晶硅,不去胶
13. 离子注入
源漏区注砷(As),热退火
选择As作源漏区,是因为同一温度下,As的扩散系数比磷小,横向扩散距离小
到这一步,MOSFET已经形成,只是未引出电极
14. 去胶,低温淀积SiO2
15. 光刻Ⅲ刻引线孔
16. 蒸铝
17.光刻Ⅳ刻电极
概括的说就是先场氧,后栅氧,再淀多晶si,最后有源区注入参考资料:水木社区 - Blog - IC游记 作者:zlzlaaaa
ρ=30~50Ω?cm
2. 初始氧化
SiO2 层厚度250 A
氧化后淀积Si3N4
Si3N4厚度1400 A
3. 光刻Ⅰ
场区光刻,刻掉场区的Si3N4
不去胶,阻挡离子注入
4. 场区注硼
250 A的SiO2防止隧道效应
注硼是为了提高场区的表面浓度,以提高场开启
5. 场区氧化,8500 A
氧化层是热生长形成的,此时硼将继续推进,Si3N4阻挡氧化。
由于Si:SiO2=0.44:1(体积比)
这种做法可以降低台阶高度,称为准等平面工艺
6. 去掉有源区的Si3N4和SiO2
Si3N4:用磷酸腐蚀 SiO2:用标准的光刻腐蚀液
7. 预栅氧
SiO2 层厚度250 A
为离子注入作准备
8. 调整阈电压注入(注硼)
目的:改变有源区表面的掺杂浓度,获得要求的阈电压
9. 去掉预栅氧
10. 栅氧化
SiO2 层厚度250 A
这一步需要单独做,必须生长高质量的氧化层
11. 淀积多晶硅,
Poly-Si,3800 A
扩磷,使多晶硅成为n+型(n+-Poly-Si)
12. 光刻Ⅱ
刻多晶硅,不去胶
13. 离子注入
源漏区注砷(As),热退火
选择As作源漏区,是因为同一温度下,As的扩散系数比磷小,横向扩散距离小
到这一步,MOSFET已经形成,只是未引出电极
14. 去胶,低温淀积SiO2
15. 光刻Ⅲ刻引线孔
16. 蒸铝
17.光刻Ⅳ刻电极
概括的说就是先场氧,后栅氧,再淀多晶si,最后有源区注入参考资料:水木社区 - Blog - IC游记 作者:zlzlaaaa
我要举报
如以上问答内容为低俗、色情、不良、暴力、侵权、涉及违法等信息,可以点下面链接进行举报!
大家都在看
推荐资讯