PN结加反向电压引起反向电流增大的主要原因是什么？

PN结加反向电压引起反向电流增大的主要原因是什么？

?较虼觧区指向p区。电场力量导致载流子的漂移运动，电子p－>n，空穴n－>p，而本省p和n区的载流子浓度又造成相应的扩散运动，电子n－>p，空穴p－>n，这两种运动会达成一定的平衡。如果pn结加正向偏置电压p（＋）n（－）就会加据扩散运动而抑制飘逸运动，当然扩散运动是多子的扩散，所以加正向电压会形成一定的电流。如果pn结加反向偏置电压p（－）n（＋）就会加据飘逸运动而抑制扩散运动，因为飘逸运动是少子的飘逸，所以反向电压如果小于一定程度电流是比较小的，可以忽略。但是若反向电压如果到达一定程度，pn结会被击穿，这里有三种机制导致：1.雪崩击穿因为耗尽区的电场方向和外加电场方向一致，导致电场很大，电子在电场中被加速到一定的速度之后撞击晶格形成电子－空穴对，被撞击出来的电子又被加速撞击其他的晶格......这样反复形成很多载流子在电常方向上运动从而形成电流。因为效果很象雪崩效应，所以叫雪崩击穿。多见于pn结浓度较低，耗尽区叫宽的pn结。2.齐纳击穿多见于pn结惨杂浓度较高的pn结。因为耗尽区电场很大，强电场直接破坏晶格形成电子－空穴对，电子－空穴对又在电场下运动从而形成电流。3.热电击穿未击穿时反向电流虽小，但是乘于反向电压也会有一定的耗散功率产生，功耗产生热。如果散热不好温度上升，因为反向电流是随着温度成指数关系上升的，所以当温度上升到一定之后，电流会很大，造成击穿。

pn二极管即由p区和n区构成，p区多数载子为空穴（＋），n区多子为电子（－），结合在一起之后结合处空穴与电子复合形成一定宽度的耗尽区，同时p区一段距离内留下不能移动的负电荷，n区一段距离内留下不能移动的正电荷，这一段耗尽区又称为空间电荷区，内形成电场，方向从n区指向p区。 电场力量导致载流子的漂移运动，电子p－>n，空穴n－>p，而本省p和n区的载流子浓度又造成相应的扩散运动，电子n－>p，空穴p－>n，这两种运动会达成一定的平衡。 如果pn结加正向偏置电压p（＋）n（－）就会加据扩散运动而抑制飘逸运动，当然扩散运动是多子的扩散，所以加正向电压会形成一定的电流。 如果pn结加反向偏置电压p（－）n（＋）就会加据飘逸运动而抑制扩散运动，因为飘逸运动是少子的飘逸，所以反向电压如果小于一定程度电流是比较小的，可以忽略。但是若反向电压如果到达一定程度，pn结会被击穿，这里有三种机制导致： 1.雪崩击穿 因为耗尽区的电场方向和外加电场方向一致，导致电场很大，电子在电场中被加速到一定的速度之后撞击晶格形成电子－空穴对，被撞击出来的电子又被加速撞击其他的晶格......这样反复形成很多载流子在电常方向上运动从而形成电流。因为效果很象雪崩效应，所以叫雪崩击穿。多见于pn结浓度较低，耗尽区叫宽的pn结。 2.齐纳击穿 多见于pn结惨杂浓度较高的pn结。因为耗尽区电场很大，强电场直接破坏晶格形成电子－空穴对，电子－空穴对又在电场下运动从而形成电流。 3.热电击穿 未击穿时反向电流虽小，但是乘于反向电压也会有一定的耗散功率产生，功耗产生热。如果散热不好温度上升，因为反向电流是随着温度成指数关系上升的，所以当温度上升到一定之后，电流会很大，造成击穿。 pn结的i－v curve可知道，pn结反向击穿后电流迅速上升但是电压却变化的很慢，所以所以此时的pn结可以用来做稳压管。 参考资料：semiconductor physics