关于半导体物理中的能级问题。

我在某书看到半导体掺杂能级图如下。
如果Ec是本征材料(比如Si)的导带能级、Ev是Si的价带能级
那如果P掺杂材料为B(通常都掺杂B)，B的本征能级应该比Ev低才对？为什么Ea比Ev的能级高？
谢谢！

此外
图中的Ed（或Ea）能否看做掺杂的物质的Ev？
两位大哥，谢谢你们的回答，但是你们可能没理解我的意思（或者是我不理解你们的意思？）
Si是第三周期元素，其最外层电子是3s^2 3p^2
B是第二周期元素，其最外层电子是2s^2 2p^1
两者相差一个周期，如果B掺杂Si
那B产生的Ea应该比Si的Ev要低，因为Ea是B的最外层电子的能级（第二层），而Si的Ev是Si的最外层电子能级（第三层）

因为电子带的是负电啊，能级和电势是相反的，这个是根据电子画的能带图。
掺杂物质是没有能带的。因为数量少，形不成能带。

费米能级在半导体物理学中经常被认为是电子或空穴的化学势，对于电子和空穴的运动起着重要的作用。在n型半导体中，电子浓度较高，因此费米能级越靠近电子占据的导带；p型半导体中，空穴浓度较高，因此费米能级越靠近空穴占据的价带。本征半导体，处于中央。

掺杂后形成的叫做掺杂能带。比如托中的Ed（施主能带），Ea受主能带。 所谓的施主能带Ed，指掺杂后能多给出一个电子。对于掺杂半导体，电子和空穴大多数是由杂质来提供的。能够提供电子的杂质称为施主；能够提供空穴的杂质称为受主。施主的能级处在靠近导带底的禁带中；受主的能级处在靠近价带顶的禁带中。 因为施主的电子很容易跑掉而变成自由电子，所以，他的能带在比导带低一点点。 而受主则反之。 因此，会有能带结构图上的那种结构。