绝缘栅型N沟道场效应管能否替代N沟道结型管？

场效应晶体管可分为结场效应管和mos场效应管，而结场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（jfet）因有两个pn结而得名，绝缘栅型场效应管（jgfet）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分n沟道和p沟道两种。你说的两个管子3dj6、3dj7都是3dj系列的如果要代换用3dj系列的应该没问题，如3dj1、2、3、、4、5。。

给个3dj3的参数你：
3 d j 3 
产品特点:n沟道结型场效应管,双向开关传输(低电平) 导通电阻:≈ 30 左右 
产品应用:多路电平传输 开关信号放大 调制电路 
1.极限参数 
数 值 参数名称 符号 
最小值 最大值 
单位 
最低和最高工作环境温度 tstg -55 +125 ℃ 
最低及最高储存温度 tamb -55 +175 ℃ 
最大耗散功率 ptot 100 mw 
最高有限温度 t( vj ) +175 ℃ 
2.电参数 (ta=25 ℃ ) 
测试参数和条件 参数
名称 
min nom max 单
位 
栅源击穿电压 vds =0v, igs ≤ 1 μ a v(br)
gss 
|20| v 
栅极截止电流 vds =0v, vgs =10v igss 100 na 
栅源截止电压 vds =10v, id =10 μ a vgs(o
ff) 
|-9| v 
a 30 
b 50 
零栅压时的漏及电流 (饱和电流) vds 
=10v, vgs =0v 
c 
idss 
80 
ma 
a 12000 
b 12000 
小信号短路正向跨导vds =10v, id 
=10ma,f =1khz 
c 
gfs 
12000 
μ 
s 
漏源关态电阻vds =10v , vgs =-9v rds(o
ff) 
10 8 ω 
100 
50 
漏源通态电阻 vgs =0v , i d =1 ma rds(o
n) 

30 
ω 
a 50 
b 30 
开启时间vds =10v , rl =1k ω,cl 
=10pf 
c 
ton 
20 
ns 
a 12.5 
b 7.5 
关断时间 
c 
toff 
5 
ns 


其他的请到这网上看参数

http://www.buyecs.com/basis/20081109894.html 

顺便私人赠送个常用的3dj型n沟道结型场效应管为例解释其测试方法：
3dj型结型场效应管可看作一只npn型的晶体三极管，栅极g对应基极b，漏极d对应集电极c，源极s对应发射极e。所以只要像测量晶体三极管那样测pn结的正、反向电阻既可。把万用表拨在r*100挡用黑表笔接场效应管其中一个电极，红表笔分别接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是场效应管的栅极。红表笔接的就是漏极或源极。对结型场效应管而言，漏极和源极可以互换。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。

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