什么是静态随机存储器，与动态有什么区别？

什么是静态随机存储器，与动态有什么区别？

主要的区别是一个需要刷新，一个不需要刷新。
SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic   Random   Access   Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，较低的功耗，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。
动态随机存取存储器，最为常见的系统内存，即DRAM（Dynamic   Random   Access   Memory）。DRAM   只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。   关机就会丢失数据。

　　SRAM的特点是工作速度快，只要电源不撤除，写入SRAM的信息就不会消失，不需要刷新电路，同时在读出时不破坏原来存放的信息，一经写入可多次读出，但集成度较低，功耗较大。SRAM一般用来作为计算机中的高速缓冲存储器(Cache)。   DRAM是动态随机存储器(Dynamic   Random   Access   Memory)，它是利用场效应管的栅极对其衬底间的分布电容来保存信息，以存储电荷的多少，即电容端电压的高低来表示“1”和“0”。DRAM每个存储单元所需的场效应管较少，常见的有4管，3管和单管型DRAM。因此它的集成度较高，功耗也较低，但缺点是保存在DRAM中的信息__场效应管栅极分布电容里的信息随着电容器的漏电而会逐渐消失，一般信息保存时间为2ms左右。为了保存DRAM中的信息，必须每隔1～2ms对其刷新一次。因此，采用   DRAM的计算机必须配置动态刷新电路，防止信息丢失。DRAM一般用作计算机中的主存储器。

RAM一般分为两大类型：SRAM(静态随机存储器)和DRAM(动态随机存储器)。SRAM的读取速度相当快，它访问数据的周期约为1030ns，由于它的造价高昴，主要用作计算机中的高速缓存存储器(Cache)。DRAM虽然读取速度较慢，但它的造价低廉，集成度高，宜于作为系统所需的大容量“主存”，所以DRAM主要制造成计算机中的内存条――这种不可缺少的硬件。目前，市面上主要有使用DRAM芯片制成的普通内存条、使用EDO   DRAM芯片制成的EDO内存条以及使用SDRAM芯片制成的SDRAM内存条。

动态随机存储器(DRAM),数据要不断刷新，易集成，读写速度慢，价格低，用于制作内存。 静态随机存储器（SRAM），数据不要刷新，不易集成，读写速度快，价格高，用于制作CACHE。 目前的内存都是DRAM，因为它比较容易做大容量的；Cache就用SRAM，它的价格比较高，而且材料虽然都是半导体，但有不同，成本很高，做大容量的存储器不太可能。

动态随机存储器(DRAM),数据要不断刷新，易集成，读写速度慢，价格低，用于制作内存。静态随机存储器（SRAM），数据不要刷新，不易集成，读写速度快，价格高，用于制作CACHE。目前的内存都是DRAM，因为它比较容易做大容量的；Cache就用SRAM，它的价格比较高，而且材料虽然都是半导体，但有不同，成本很高，做大容量的存储器不太可能。