画时序电路状态转换图时有的不在循环内怎么办
答案:1 悬赏:20
解决时间 2021-10-30 04:29
- 提问者网友:精神病院里
- 2021-10-29 03:43
画时序电路状态转换图时有的不在循环内怎么办
最佳答案
- 二级知识专家网友:低音帝王
- 2021-10-29 04:15
电荷耦合器件(CCD),是一种以电荷为信号载体的光电传感器。他具有光电转换,电荷存储,转移和检测等功能。广泛应用于图像拍摄、传真通信系统,光学字符识别、广播TV、工业检测与自动控制、生物标本分析、天文观测等领域中[1]。CCD的外围电路比较复杂,往往给使用者带来不便,特别是驱动时序电路的实现,这是CCD应用的关键问题。早期的CCD驱动电路几乎全部是由普通数字电路芯片实现的,由于需要复杂的三相或四相交迭脉冲,一般整个驱动电路需要20个芯片左右,体积较大,设计也复杂,偏重于硬件的实现,调试困难,灵活性较差。除了数字电路芯片实现驱动方法外,还有单片机驱动方式,在这种设计方法中,硬件电路非常简单,但是存在资源浪费较多,频率较低的缺陷。采用复杂可编程逻辑器件CPLD技术,结合长安大学光电应用研究所的相关项目对CCD器件TCDl200D进行了驱动时序电路的设计与实现,该方法开发周期短,并且驱动信号稳定、可靠。系统功能模块完成后可以先通过计算机进行仿真,再实际投入使用,降低了使用风险性。
可编程逻辑器件(PLD)是在20世纪80年代迅速发展起来的一种新型集成电路,随着大规模集成电路的进一步发展,出现了PAL和GAL逻辑器件,而复杂可编程逻辑器件CPLD是在此逻辑器件基础上发展起来的,跟分立元件相比,具有速度快、容量大、功耗小、集成度高、可靠性强等优点。故CPLD被广泛应用于各种电路的设计中。
l TCDl200D简介
1.1 TCDl200D的特点
TCDl200D是日本东芝公司生产的双沟道线阵CcD器件,具有灵敏度高(饱和曝光量为0.037 x·s)、暗电流低等特点。该器件具有2 160个像元,内部信号预处理电路包含采样保持和输出预放大电路,当温度为25℃时,该器件工作在5 V驱动脉冲,12 V电源条件下。
1.2 TCDl200D驱动时序要求
芯片正常工作需要4路驱动信号:时钟脉冲Fl,时钟脉冲F2,转移脉冲SH和复位脉冲RS。其中SH为光电荷转移脉冲,其下降沿是每行输出的起始点;F1,F2为两相交变驱动脉冲(相位差为90。),其作用为驱动信号电荷进行定向转移;RS为输出极复位脉冲,清除输出即输出一个单元电荷后所剩电荷,以保证下一个单元电荷电压的正确输出。在4路脉冲的正确驱动下,该图像传感器将产生有效光电信号OS和补偿信号DOS[2]。图1即为TCDl200D各路驱动信号的时序关系。
图2为TCD1200D驱动电路脉冲宽度与延时关系图,其中SH与F1的脉冲间隔t1,t5最小值为O,典型值为100 ns;SH脉冲上升与下降时间t2,t4最小值为O,典型值为50 ns;SH脉冲宽度t3最小值为200 ns,典型值为1 000 ns;F1,F2脉冲上升、下降时问t6,t7最小值为0,典型值为60 ns;RS脉冲宽度t8最小值为40 ns,典型值为250 ns;F1,F2与RS脉冲间隔t9。最小值为100 ns,典型值为125 ns。
可编程逻辑器件(PLD)是在20世纪80年代迅速发展起来的一种新型集成电路,随着大规模集成电路的进一步发展,出现了PAL和GAL逻辑器件,而复杂可编程逻辑器件CPLD是在此逻辑器件基础上发展起来的,跟分立元件相比,具有速度快、容量大、功耗小、集成度高、可靠性强等优点。故CPLD被广泛应用于各种电路的设计中。
l TCDl200D简介
1.1 TCDl200D的特点
TCDl200D是日本东芝公司生产的双沟道线阵CcD器件,具有灵敏度高(饱和曝光量为0.037 x·s)、暗电流低等特点。该器件具有2 160个像元,内部信号预处理电路包含采样保持和输出预放大电路,当温度为25℃时,该器件工作在5 V驱动脉冲,12 V电源条件下。
1.2 TCDl200D驱动时序要求
芯片正常工作需要4路驱动信号:时钟脉冲Fl,时钟脉冲F2,转移脉冲SH和复位脉冲RS。其中SH为光电荷转移脉冲,其下降沿是每行输出的起始点;F1,F2为两相交变驱动脉冲(相位差为90。),其作用为驱动信号电荷进行定向转移;RS为输出极复位脉冲,清除输出即输出一个单元电荷后所剩电荷,以保证下一个单元电荷电压的正确输出。在4路脉冲的正确驱动下,该图像传感器将产生有效光电信号OS和补偿信号DOS[2]。图1即为TCDl200D各路驱动信号的时序关系。
图2为TCD1200D驱动电路脉冲宽度与延时关系图,其中SH与F1的脉冲间隔t1,t5最小值为O,典型值为100 ns;SH脉冲上升与下降时间t2,t4最小值为O,典型值为50 ns;SH脉冲宽度t3最小值为200 ns,典型值为1 000 ns;F1,F2脉冲上升、下降时问t6,t7最小值为0,典型值为60 ns;RS脉冲宽度t8最小值为40 ns,典型值为250 ns;F1,F2与RS脉冲间隔t9。最小值为100 ns,典型值为125 ns。
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