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说明:1)人名没必要翻,也无法翻,所以只能翻文献的标题和杂志名称;2)文献6和文献4重复;3)文献4和6中的olution估计是solution,漏了个S。4)中括号中的J,表示文献类型是杂志,没必要翻。
[1] Morals A M, Lieber C M. A laser ablation method for the synthesis of crystalline semiconductor nanowires用于晶体性半导体纳米线合成的激光烧蚀法 [J]. Science科学, 1998, 279:208—211
[2] Zhang Y F, Tang Y H, Wang N, et al. Silicon nanowires prepared by laser ablation at high temperature 用激光烧蚀法在高温下制备的硅纳米线[J]. Appl Phys Lett, 应用物理学快报1998, 72(15): 1835—1837
[3] Tang Y H, Zhang Y F, Wang N, et al. Morphology of Si nanowires synthesized by high temperature laser ablation用高温激光烧蚀法合成的硅纳米线的形态学 [J]. Appl Phys,应用物理学1999, 85 (11):7981—7983
[4] Holmes J D, Johnston K P, Doty R C, et al. Control of Thickness and Orientation of olution-Grown Silicon Nanowires 溶液生长硅纳米线粗细度和取向的控制[J]. Science科学, 2000, 287: 1471—1473
[5] Yu D P, Xing Y J, Hang Q L, et al. Controlled growth of oriented amorphous silicon nanowires via a solid-liquid-solid(SLS) mechanism 通过固-液-固(SLS)机理的定向无定形硅纳米线的受控生长[J]. Physica E物理学报E辑, 2001, 9 (12): 305—309
[6] Holmes J D,Johnston K P, Doty R C, et al. Control of Thickness and Orientation of olution-Grown Silicon Nanowires溶液生长硅纳米线粗细度和取向的控制[J]. Science科学 ,2000 ,287:1471—1473
[7] Baumer A, Stutzmann M, Brandt M S, et al. Paramagnetic defects of silicon nanowires硅纳米线的顺磁性缺陷 [J]. Appl Phys Lett应用物理学快报,2004 , 85(6): 943—945
[8] Tang Y H, Sun X H, Au F C K, et al. Microstructure and field-emission characteristics of boron-doped Si nanoparticle chains 掺硼硅纳米粒子链的微细结构和场发射特性[J]. Appl Phys Lett应用物理学快报, 2001, 79: 1075—1673
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[11] Kong J, Franklin N R, Zhou C W, et al. Nanotube molecular wires as chemical sensors用作化学传感器的纳米管分子线[J]. Science 科学, 2000, 287:622—625
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