为什么半导体制程中N型井区上面建的是P型晶体,而在P型井区上面建的是N型晶体?

为什么半导体制程中N型井区上面建的是P型晶体,而在P型井区上面建的是N型晶体?

我觉得你要先明确N型晶体和P型晶体的机理。
在N型半导体中的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。
在P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。

只有当这两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，并形成阻挡层或接触电位差。

当PN结上施加正向电压时，也就是P接正电压，N接负电压，N中的自由电子像P中游动，与P中的空穴结合，此时，阻挡层变薄，电阻变小，可形成大电流。此时，PN结处于正向导通状态。
当PN结上施加反向电压时，也就是N接正电压，P接负电压，P中的自由电子会向N半导体游动，使P中的空穴更多，N中的自由电子也更多，阻挡层变厚，电阻变大，形成较小电流。基本处于截止状态。

我解释的不是很专业，是我自己的理解，希望你能明白。