绝缘栅型场效应管好坏及极性

绝缘栅型场效应管好坏及极性

一、绝缘栅型场效应管（或IGBT）好坏的简易判别方法 
  
 
 
3、判断极性 
将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，将黑表笔固定接在某一电极上，另一表笔红表笔分别接其它 
两只管脚，若阻值均为无穷大，
对调用红表笔固定接在这一电极（原黑表笔接的那只管脚）上，另一表笔 
（黑表笔）分别接其它两只管脚，若阻值均为无穷大，则固定不动的那只表笔接的那只管脚为栅极。
 
其余两 
极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红 
表笔接的为漏极（D）；黑表笔接的为源极（S）。 
 
4、判断好坏 
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极（D），红表笔接IGBT 的源极（S），此时万用表的指针 
指在无穷处。用手指同时触及一下栅极（G）和漏极（D），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值 
较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极（S）和栅极（G），这时IGBT 被阻 
断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。 
注意：若进第二次测量时，应短接一下源极（S）和栅极（G）。 
   任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K 
Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同 
样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。 
附图 
 
IGBT  绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET
 
等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。
 
    目前有用不同材料及工艺制作的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放
 
大的复合结构。
 
       IGBT有三个电极(见上图), 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源
 
极) 。
  
从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻
 
大, 器件发热严重, 输出效率下降。
 
IGBT的特点:  
1.电流密度大.
2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。
3.低导通电阻。.
4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。 
5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us, 约为GTR的10%.
     
代换ICBT时应注意的几个问题：
由于IGBT管工作在高电压、大电流状态，工作温度高，易损坏，据不完全统计，在电磁炉故障维修中，IGBT管损坏占80%以上，而各厂家采用的IGBT管型号繁杂，有的厂家还把IGBT管型号标注打磨掉，因此，维修中不得不考虑IGBT的代换。代换时应注意以下二点：
1、IGBT管的主要参数宜大不宜小，2000W以下的电磁炉可选用最大电流为20A—25A的IGBT管，2000W或2000W以上的电磁炉可选用最大电流为40A的IGBT管。
2、应区分IGBT管内是否含有阻尼二极管，内含有阻尼二极管的IGBT管可代换不含阻尼二极管的IGBT管，若用不含阻尼二极管的IGBT管代换内含有阻尼二极管的IGBT管时，应在新更换的IGBT管的漏极和源极之间并接一只快速恢复二极管，如图所示。部分快速恢复二极管的型号及主要参数如表所示。 
 
 
电磁炉常用IGBT管型号和主要参数 
管子型号最高耐压（V）最大电流（A）管内是否含有二极管
20N 120CND120020有
K25T120120025有
G40N150D150040有
5GL40N150D150040有
G4PH50UD150040有
GT40Q321130040有
GT40T101100040无
G40T101100040无
GT40T301130040无
ZQB35JA150035有
G30P120N120030无
GPQ25101100025有
GT15J101100015无
GT8Q19119008有
GT50J101100050无
GT50J102100050无
GT50J301130050无
GT60M104100060无
GT60M301130060无
GT75AN—12120075无
15Q101100015有
25Q101100025有
80J101100080无
JHT20T120120020有
SKW25N120120025有