光励起和电励起的发光效率一样吗

对于荧光材料来说，光励起和电励起后，放出光子的概率一样吗。换句话说，荧光量子效率是不是等于PL量子效率的4倍？请高手指教。高分。谢谢。

谢谢你的回答.对您的第三段有一点疑问.
对于"激励方式不同，荧光机制就不同",是不是指对于相同材料,光励起和电励起后,放射失活的概率不同?谢谢!

PL（光致发光）和EL（电致发光）的效果是不一样的，根据我的经验，材料的PL比较容易出光，而EL相对难一些。原因大概是这样的，在做PL的时候，只要入射光的光子能量够大，材料没有被打飞的前提下，激励光子一定会被吸收，接下来的自发发射过程就是自然的结果。
然而要做EL，就是电注入的时候，材料的实际结构和品质都会影响电注入的效果，整个荧光过程牵扯到的环节比PL要多很多，再加上材料的耐压性一般不允许注入强度太大，这样自然就不太容易的到很好的荧光光谱。
至于量子效率的问题，一般针对荧光这个过程只讨论内量子效率，内量子效率应该是一样的，如果材料是同一个的话。外量子效率包括的内容就多了，PL和EL的整体量子效率还真不好说，这玩意你得到光谱以后可以算算看，总的量子效率是什么样的，有结果了告诉我一声哈~~~·。

这个和内量子效率没什么关系，只和外量子效率有关，材料结构只要确定，内量子效率都是一样的，激励方式不同，荧光机制就不同，外量子效率的定义就有所不同，所以不大好比较。

我想你要问的就是PL和EL哪个容易得到好的荧光谱，我肯定的告诉你是PL。如果只是研究材料的光谱特性，做PL就成了。但你要把他做成器件，比如LED或是激光器，那不得不去做EL了。

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因为我是学半导体的，所以放射失活的概念我不是很清楚；

我需要说明的是荧光机制的问题，在半导体中，光致发光的机制是光子被吸收，价带电子跃迁上倒带，然后thermalizing（不知道中文怎么讲）至带边，然后自发发射一个光子，导带电子再跃迁回价带。
而电至发光是电子在电场的作用下向异质结边缘或是量子阱中聚集，然后发生了自发发射。

根本原因是光致发光的激励强度（注入强度）比电致发光大很多，但这只是在半岛体材料中的情况，而其他的荧光材料要看他对光和电的耐受能力了。

针对你的问题，你可以查一下你要做的这个材料的特性，看看他的耐压（电压），和能承受的激光功率（以及会不会有特定波长的光让材料变态的情况），综合来考虑。哪种方式的激励强度大，哪种方法得到的荧光普就会强一些，但绝大多数情况是光致发光容易得到好的光谱。