n型半导体和p型半导体中的多数载流子和少数的载流子是怎样产生的？它的数量各由什么因数控制？（那个大

n型半导体和p型半导体中的多数载流子和少数的载流子是怎样产生的？它的数量各由什么因数控制？（那个大

以n型半导体为例，其中的多数载流子电子是由于在半导体中掺杂N型杂质（例如磷、砷、锑等）产生的。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子（多子）主要由杂质原子提供，空穴（少子）由热激发形成。p型半导体刚好相反。