直流磁控溅射ITO靶基距，对镀膜均匀性和透过率的影响有多大
答案:1 悬赏:10
解决时间 2021-01-05 20:54
- 提问者网友：我们很暧昧
- 2021-01-05 07:06
直流磁控溅射ITO靶基距，对镀膜均匀性和透过率的影响有多大
最佳答案
- 二级知识专家网友：狂恋
- 2021-01-05 07:55
靶基距一般50-100mm之间，影响膜层均匀性跟阴极的磁场强度有关，透过率跟温度、布气灯因素有关追问您好，你分析的挺专业的，我想再问一下，我们新的镀膜设备做TN90玻璃，现在透光率低，靶电压高约360V,蚀刻好的，电阻靶两头偏大。不知什么原因。追答有两种较为简单的方法可以改善：
加强阴极两端磁场强度可以起到蚀刻速率提升，解决两头方阻高的问题
中间靶位阳极罩增加挡板，挡住部分区域的溅射，也可以解决整块玻璃的均匀性问题
加强阴极两端磁场强度可以起到蚀刻速率提升，解决两头方阻高的问题
中间靶位阳极罩增加挡板，挡住部分区域的溅射，也可以解决整块玻璃的均匀性问题
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